一、个人信息：
性别: 男 出生: 1985 籍贯: 重庆
香港城市大学博士、西安交通大学博士
美国加州大学尔湾 访问学者
海南省拔尖人才，海南医科大学领军人才
课题方向：纳米材料与生物分子检测技术
联系方式：htingwei1236@mail.xjtu.edu.cn，17791967362
二、教育经历：
2013.10-2015.08 香港城市大学，哲学博士，材料及物理，导师：朱建豪教授
2009.09-2015.09 西安交通大学，工学博士，材料学专业，导师：徐可为教授
2005.09-2009.07 湖南大学，工学学士，材料物理专业，导师：周灵平教授
三、主要工作经历：
2024.3-至今 海南医科大学，副教授
2019.11-2024.3 海南医学院，副教授
2019.04-2019.5 西安交通大学，副教授
2015.10-2019.03 西安交通大学，讲师/博士后
2016.03-2017.03 加州大学尔湾学校，访问学者，Wilson Ho课题组
四、学术成果：
一）主持课题：
1、国家自然科学青年基金，51601142、石墨烯大面积制备过程中的金属原子同步掺杂及其物理效应研究、2017/01-2019/12，20万元，结题，主持。
2、中国博士后基金，2016M592785、石墨烯模板诱导金属二维结构超薄膜的制备及机理研究、2016/01-2018/12，5万元，结题，主持。
3、海南省高层次人才基金，二维受限金属单原子层的制备及插层机理分析，2021/6-2024/6，8万元，结题，主持。
二）发表SCI论文（一作/通讯）：
1. Hu, T.W., D.Y. Ma, F. Ma, K.W. Xu, Preferred armchair edges of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by thermal decomposition. Applied Physics Letters, 2012, 101: 241903.
2. Hu, T.W., F. Ma, D.Y. Ma, D. Yang, X.T. Liu, K.W. Xu, P.K. Chu, Evidence of atomically resolved 6×6 buffer layer with long-range order and short-range disorder during formation of graphene on 6H-SiC by thermal decomposition. Applied Physics Letters, 2013, 102: 171910.
3. Hu, T., D. Ma, F. Ma, K. Xu, P.K. Chu, Direct and diffuse reflection of electron waves at armchair edges of epitaxial graphene. RSC Advances, 2013, 3: 25735.
4. Hu, T.W., X.T. Liu, F. Ma, D.Y. Ma, K.W. Xu, P.K. Chu, High-quality, single-layered epitaxial graphene fabricated on 6H-SiC (0001) by flash annealing in Pb atmosphere and mechanism. Nanotechnology, 2015, 26: 105708.
5. Hu, T., H. Bao, S. Liu, X. Liu, D. Ma, F. Ma, K. Xu, Near-free-standing epitaxial graphene on rough SiC substrate by flash annealing at high temperature. Carbon, 2017, 120: 219-225.
6. Hu, T., Q. Fang, X. Zhang, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth. Applied Physics Letters, 2018, 113: 011602.
7. Hu, T.*, X. Hui, X. Zhang, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Nanostructured Bi grown on epitaxial graphene/SiC. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2018, 9: 5679-5684.
8. Hu, T., X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Formation of Micro- and Nano-Trenches on Epitaxial Graphene. Applied Sciences, 2018, 8: 2518.
9. Hu, T., D. Ma, Q. Fang, P. Zhang, X. Liu, R. Wei, Y. Pan, K. Xu, F. Ma, Bismuth mediated defect engineering of epitaxial graphene on SiC(0001). Carbon, 2019, 146: 313-319.
10. Hu, T., D. Yang, W. Hu, Q. Xia, F. Ma, K. Xu, The structure and mechanism of large-scale indium-intercalated graphene transferred from SiC buffer layer. Carbon, 2021, 171: 829-836.
11. Hu, T.*, D. Yang, H. Gao, Y. Li, X. Liu, K. Xu, Q. Xia, F. Ma, Atomic structure and electronic properties of the intercalated Pb atoms underneath a graphene layer. Carbon, 2021, 179: 151-158.
12. Yang, D., Q. Xia, H. Gao, S. Dong, G. Zhao, Y. Zeng, F. Ma, T. Hu*, Fabrication and mechanism of Pb-intercalated graphene on SiC. Applied Surface Science, 2021, 569: 151012.
13. X. Bian, D. Yang, Y. Zeng, T. Yang, Q. Xia, T. Hu*, High electrochemical performance of glucose detection based on tapered gold nanostructures and MXene layers, Sensors and Actuators Reports, 2024, 8: 100232.
14. D. Yang, F. Ma, X. Bian, Q. Xia, T. Hu*, The growth of epitaxial graphene on SiC and its metal intercalation: a review, Journal of Physics: Condensed Matter, 2024, 36: 173003.
15. Y. Zeng, J Hu*, X. Bian, Q. Xia, T. Hu*, Effects of Standing Time during Pretreatmenton the Nitrite Concentration Detected by Spectrophoto- metric Method, Journal of Materials Science and chemical Engineering, 2024, 12: 73-83.
三）发明专利：
1. 胡廷伟，马飞，徐可为，马大衍，刘祥泰，张晓荷，一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法，2019.05.20，发明专利号：201710552408.3。
2. 慧欣，胡廷伟，杨东，马飞，马大衍，徐可为，一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法，2021.05.07，发明专利号：ZL201911013432.5。
3. 杨东，沈钰杲，胡廷伟，一种循环雾化试验装置，2024.06.21，实用新型专利号：ZL202322872398.5。
4. 胡廷伟，杨东，夏乾峰，曾颖斐，一种碳纳米管包覆金纳米颗粒阵列及其制备方法和应用，2024，发明专利受理号：PCN24000626。
5. 杨东，胡廷伟，卞祥龙，夏乾峰，一种限域式金属原子插层石墨烯的方法，2024，发明专利受理号：PCN24000625。
五、学术组织兼职：陕西省真空技术协会学术委员
六、获得奖励：博士生国家奖学金，海南省拔尖人才（D），海南医学科大学领军人才（C）。
